600 V,20 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO-247封装中的全额定续流二极管共同封装,由于沟槽单元和场阻概念的结合,导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷,达到了最高效率。
特色
- 降低传导损耗的最低VCEsat压降
- 低开关损耗
- 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
- 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
- 高强度,温度稳定
- 低EMI发射
- 低栅极电荷
- 非常紧密的参数分布
- 最高效率–低传导和开关损耗
- 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
- 设备可靠性高
应用
- 工业加热和焊接
- 太阳能系统解决方案
- 不间断电源(UPS)
- 房间空调器
- 电机控制和驱动