高速650 V硬开关IGBT TRENCHSTOPTM 5与RAPID 1快速和软反并联二极管一起封装在TO-247封装中,被定义为“同类最佳”IGBT。
特色
- 650 V击穿电压
- 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
- 系数2.5较低Qg
- 因素2开关损耗的减少
- VCEsat降低200mV
- 与Rapid Si二极管技术共封装
- 低COES/EOSS
- 温和正温度系数VCEsat
- Vf的温度稳定性
- 一流的效率,导致更低的连接和
外壳温度可提高设备可靠性 - 母线电压可能增加50 V,但不会影响
可靠性 - 更高的功率密度设计
应用
- 不间断电源(UPS)系统
- 工业加热和焊接