起订量: 1
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P3MS650103 - 1.8V/2.5V/3.3V GP E
DigiKey
Avnet Americas
Rochester Electronics
Farnell
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | P3M | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥53.32585 |
| P3MB | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥71.02098 |
| P3MM | 艾沛克斯 (Apex) | NUT DRIVER HEX SOCKET 3MM 3.5" | ¥505.80068 |
 | P3M06300T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 35W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M06300D5 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 26瓦 供应商设备包装: DFN5*6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M06300D8 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 32瓦 供应商设备包装: DFN8*8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M171K0T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 最大功耗: 100W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.18169 |
 | P3M173K0K3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 63W 供应商设备包装: TO-247-3L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.55784 |
 | P3M173K0T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 75W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.55784 |
 | P3M12080K3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A 最大功耗: 221W 供应商设备包装: TO-247-3L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥86.19051 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
