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71V016SA12YI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ
  • 品牌: IDT公司 (IDT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 84

  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.74990
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥650.99
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储接口 并联
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 -
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 存储容量 1Mb (64K x 16)
  • 访达时期 12纳秒
  • 制造厂商 IDT公司 (IDT)
  • 包装/外壳 44-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-SOJ

71V016SA12YI 产品详情

The IDT71V016SA12YG is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized as 64K x 16. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs. The IDT71V016SA12YG has an output enable pin which operates as fast as 5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and outputs of the IDT71V016SA12YG are LVTTL compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
  • Equal access and cycle times
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Upper and Lower Byte Enable Pins
  • Single 3.3V power supply


71V016SA12YI所属分类:存储器,71V016SA12YI 由 IDT公司 (IDT) 设计生产,可通过久芯网进行购买。71V016SA12YI价格参考¥7.749903,你可以下载 71V016SA12YI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询71V016SA12YI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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