LBSS84LT1G
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):130mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@5V,100mA
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.10357 | 0.10357 |
100+ | 0.09560 | 9.56060 |
1000+ | 0.08908 | 89.08800 |
- 库存: 2056
- 单价: ¥0.10357
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- +
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 50V
- 连续漏极电流(Id) 130mA
- 功率(Pd) 225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
LBSS84LT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),LBSS84LT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LBSS84LT1G价格参考¥0.103573,你可以下载 LBSS84LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LBSS84LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
乐山无线电 (LRC)
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