15N10
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,10A
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1.11116 | 1.11116 |
10+ | 0.89046 | 8.90464 |
30+ | 0.79587 | 23.87637 |
100+ | 0.67786 | 67.78630 |
500+ | 0.62531 | 312.65800 |
1000+ | 0.59378 | 593.78700 |
- 库存: 20000
- 单价: ¥1.05956
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.11
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 15A
- 功率(Pd) 50W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 19.2nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 632pF@50V
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
15N10所属分类:分立场效应晶体管 (FET),15N10 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。15N10价格参考¥1.059564,你可以下载 15N10中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询15N10规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...