15N10L-TN3-R
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):14.7A 功率(Pd):37.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 14.7A
- 功率(Pd) 37.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@10V,8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
15N10L-TN3-R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),15N10L-TN3-R 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。15N10L-TN3-R价格参考¥1.104542,你可以下载 15N10L-TN3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询15N10L-TN3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息!