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15N10L-TN3-R
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15N10L-TN3-R

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):14.7A 功率(Pd):37.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,8A
  • 品牌:
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.10454 1.10454
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  • 数量:
    - +
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 14.7A
  • 功率(Pd) 37.4W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@10V,8A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
15N10L-TN3-R所属分类:分立场效应晶体管 (FET),15N10L-TN3-R 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。15N10L-TN3-R价格参考¥1.104542,你可以下载 15N10L-TN3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询15N10L-TN3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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