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30N06
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30N06

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):25A 功率(Pd):34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A
  • 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.16633 1.16633
10+ 0.93975 9.39752
30+ 0.84264 25.27938
100+ 0.69583 69.58330
500+ 0.64191 320.95800
1000+ 0.60954 609.54800
  • 库存: 29885
  • 单价: ¥1.16634
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    - +
  • 总计: ¥1.17
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 60V
  • 连续漏极电流(Id) 30A
  • 功率(Pd) 55W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@15A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 25nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 1.562nF@25V
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
30N06所属分类:分立场效应晶体管 (FET),30N06 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。30N06价格参考¥1.166339,你可以下载 30N06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询30N06规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

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