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30N03A
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30N03A

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10+ 0.86545 8.65454
30+ 0.78326 23.49807
100+ 0.68059 68.05940
500+ 0.63497 317.48900
1000+ 0.60754 607.54900
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 连续漏极电流(Id) 90A
  • 功率(Pd) 105W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5mΩ@30A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 41nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 1.963nF@15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
30N03A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),30N03A 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。30N03A价格参考¥1.057253,你可以下载 30N03A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询30N03A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

广东友台半导体 (UMW)

广东友台半导体 (UMW)

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