KSI2305CDS-T1-GE3
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65Ω@4.5V,3.2A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.29860 | 0.29860 |
| 10+ | 0.24400 | 2.44006 |
| 30+ | 0.21670 | 6.50100 |
| 300+ | 0.17472 | 52.41600 |
| 600+ | 0.15833 | 95.00220 |
| 900+ | 0.15014 | 135.13050 |
- 库存: 31040
- 单价: ¥0.29860
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.30
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 4A
- 功率(Pd) 1.1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65Ω@4.5V,3.2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 36nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 415pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 87pF@10V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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| KSI0M011 | 希凯 (C&K) | 集成电路: 常开型 触点额定值@电压: 0.05A@32VDC 安装类别: 通孔 轮廓: 7.40毫米 x 7.40毫米 工作温度: -40摄氏度~90摄氏度 操作力: 110gf | ¥2.47707 |
 | KSI0M411 | 希凯 (C&K) | 集成电路: 常开型 触点额定值@电压: 0.05A@32VDC 安装类别: 通孔 轮廓: 7.40毫米 x 7.40毫米 工作温度: -40摄氏度~90摄氏度 操作力: 300gf | ¥9.41577 |
| KSI2305CDS-T1-GE3 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65Ω@4.5V,3.2A | ¥0.2986 | |
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| KSI0V011LFTR | 暂无 | ¥11.60243 |
KSI2305CDS-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，KSI2305CDS-T1-GE3 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。KSI2305CDS-T1-GE3价格参考￥0.298603，你可以下载 KSI2305CDS-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询KSI2305CDS-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！