KSI2302CDS-T1-GE3
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45Ω@4.5V,2.9A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.18105 | 0.18105 |
| 10+ | 0.14479 | 1.44793 |
| 30+ | 0.12465 | 3.73950 |
| 150+ | 0.10151 | 15.22740 |
| 450+ | 0.09104 | 40.96935 |
| 1050+ | 0.08540 | 89.67105 |
- 库存: 13200
- 单价: ¥0.18105
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.18
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 2.9A
- 功率(Pd) 1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45Ω@4.5V,2.9A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 300pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 80pF@10V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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 | KSI2305CDS-T1-GE3 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65Ω@4.5V,3.2A | ¥0.2986 | |
| KSI2302CDS-T1-GE3 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45Ω@4.5V,2.9A | ¥0.18105 | |
| KSI0V011LFTR | 暂无 | ¥11.60243 |
KSI2302CDS-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，KSI2302CDS-T1-GE3 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。KSI2302CDS-T1-GE3价格参考￥0.181051，你可以下载 KSI2302CDS-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询KSI2302CDS-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！