L2N7002SLT1G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):320mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,500mA
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.06663 | 0.06663 |
100+ | 0.06011 | 6.01160 |
1000+ | 0.05432 | 54.32200 |
- 库存: 29620
- 单价: ¥0.06664
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数量:
- +
- 总计: ¥0.07
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 320mA
- 功率(Pd) 300mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
L2N7002SLT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),L2N7002SLT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L2N7002SLT1G价格参考¥0.066635,你可以下载 L2N7002SLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L2N7002SLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
乐山无线电 (LRC)
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