L2N7002WT1G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA
- 品牌: 乐山无线电 (LRC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.09270 | 0.09270 |
100+ | 0.08474 | 8.47420 |
1000+ | 0.07749 | 77.49900 |
- 库存: 2520
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 115mA
- 功率(Pd) 225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
L2N7002WT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),L2N7002WT1G 由 乐山无线电 (LRC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L2N7002WT1G价格参考¥0.092709,你可以下载 L2N7002WT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L2N7002WT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
乐山无线电 (LRC)
乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原...