2N7002B
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA
- 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 115mA
- 功率(Pd) 225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
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| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
2N7002B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002B 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002B价格参考￥0.070980，你可以下载 2N7002B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002B规格参数、现货库存、封装信息等信息！
广东友台半导体 (UMW)
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