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2N7002BKS

Name: 2N7002BKS
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 27350976-2N7002BKS
Price: 0.262316 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:暂无
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

渠道:

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10+	0.21186	2.11869
30+	0.18665	5.59950
300+	0.16773	50.31930
600+	0.15260	91.56060
900+	0.14503	130.52880

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型号	制造商	描述	价格
2N7000RLRP	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92	¥0.28972
2N7002CK,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23	¥0.14486
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2N7002E,215	恩智浦 (NXP)	MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23	¥0.28972
2N7002KQBZ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
2N7002K 72K	江苏长电/长晶 (CJ)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA	¥0.18708
2N7002（丝印12W）	时科 (SHIKUES)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA	¥0.09601
2N7002-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A	¥0.1106
2N7002KD	富芯森美 (FUXINSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA	¥0.21651
2N7002T-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW	¥0.16258

2N7002BKS所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7002BKS 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7002BKS价格参考￥0.262316，你可以下载 2N7002BKS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7002BKS规格参数、现货库存、封装信息等信息！