WSD60N10GDN56
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.33899 | 4.33899 |
30+ | 3.61584 | 108.47532 |
100+ | 3.01318 | 301.31840 |
500+ | 2.30168 | 1150.84250 |
1000+ | 2.09248 | 2092.48800 |
- 库存: 480
- 单价: ¥4.94995
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数量:
- +
- 总计: ¥4.34
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 100V
- 连续漏极电流(Id) 60A
- 功率(Pd) 125W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 49.9nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 2.604nF@50V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 6.5pF@50V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
WSD60N10GDN56所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD60N10GDN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD60N10GDN56价格参考¥4.949950,你可以下载 WSD60N10GDN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD60N10GDN56规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世...