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WSD60N10GDN56
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WSD60N10GDN56

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,10A
  • 品牌: 微硕 (WINSOK)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.33899 4.33899
30+ 3.61584 108.47532
100+ 3.01318 301.31840
500+ 2.30168 1150.84250
1000+ 2.09248 2092.48800
  • 库存: 480
  • 单价: ¥4.94995
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.34
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 60A
  • 功率(Pd) 125W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@10V,10A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 49.9nC@10V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 2.604nF@50V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 6.5pF@50V
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
WSD60N10GDN56所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD60N10GDN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD60N10GDN56价格参考¥4.949950,你可以下载 WSD60N10GDN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD60N10GDN56规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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