WSD20L120DN56
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@4.5V,20A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.25792 | 3.25792 |
10+ | 2.92162 | 29.21627 |
30+ | 2.86907 | 86.07237 |
100+ | 2.54328 | 254.32860 |
- 库存: 14354
- 单价: ¥3.25793
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.26
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 120A
- 功率(Pd) 130W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.1mΩ@4.5V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 100nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 4.95nF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 290pF@10V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
WSD20L120DN56所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD20L120DN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD20L120DN56价格参考¥3.257929,你可以下载 WSD20L120DN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD20L120DN56规格参数、现货库存、封装信息等信息!
微硕 (WINSOK)
微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世...