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IPB072N15N3G
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IPB072N15N3G

  • 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,100A
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.42466 17.42466
10+ 14.73424 147.34246
30+ 13.13681 394.10430
100+ 9.45850 945.85030
  • 库存: 18713
  • 单价: ¥17.42467
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.42
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规格参数

  • 类型 N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 150V
  • 连续漏极电流(Id) 100A
  • 功率(Pd) 300W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.2mΩ@10V,100A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@270uA
IPB072N15N3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB072N15N3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB072N15N3G价格参考¥17.424665,你可以下载 IPB072N15N3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB072N15N3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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