IPB072N15N3G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,100A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
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渠道:
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数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 17.42466 | 17.42466 |
10+ | 14.73424 | 147.34246 |
30+ | 13.13681 | 394.10430 |
100+ | 9.45850 | 945.85030 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 150V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 功率(Pd) 300W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.2mΩ@10V,100A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@270uA
IPB072N15N3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB072N15N3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB072N15N3G价格参考¥17.424665,你可以下载 IPB072N15N3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB072N15N3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。