
WSD3045DN
- 描述:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,6A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.60337 | 2.60337 |
30+ | 2.16944 | 65.08332 |
100+ | 1.80787 | 180.78710 |
500+ | 1.38109 | 690.54900 |
1000+ | 1.25549 | 1255.49200 |
- 库存: 100
- 单价: ¥2.60337
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.60
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规格参数
- 类型 1个N沟道和1个P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) -
- 功率(Pd) 2.1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@10V,6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 2.7nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 250pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 30pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
WSD3045DN所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD3045DN 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD3045DN价格参考¥2.603373,你可以下载 WSD3045DN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD3045DN规格参数、现货库存、封装信息等信息!
微硕 (WINSOK)

微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世...