DMG1013T
- 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):550mA 功率(Pd):280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):610mΩ@4.5V,550mA
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.38002 | 0.38002 |
10+ | 0.31276 | 3.12763 |
30+ | 0.27913 | 8.37402 |
300+ | 0.25390 | 76.17210 |
600+ | 0.23372 | 140.23680 |
900+ | 0.22363 | 201.27510 |
- 库存: 23000
- 单价: ¥0.38002
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.38
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 550mA
- 功率(Pd) 280mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 610mΩ@4.5V,550mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 750mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) 60pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 5pF@10V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
DMG1013T所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMG1013T 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG1013T价格参考¥0.380020,你可以下载 DMG1013T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG1013T规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...