NTR4171PT1G-VB
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,5.6A
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.69598 | 0.69598 |
| 10+ | 0.56777 | 5.67771 |
| 30+ | 0.50366 | 15.10992 |
| 100+ | 0.40387 | 40.38790 |
| 600+ | 0.36541 | 219.24720 |
| 1200+ | 0.34618 | 415.41840 |
- 库存: 6050
- 单价: ¥0.69599
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.70
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 5.6A
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 46mΩ@10V,5.6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) -
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
NTR4171PT1G-VB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTR4003NT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.64462 |
 | NTR4003NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.2832 |
 | NTR1P02T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.0877 |
 | NTR5198NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.54829 |
 | NTR4503NT1G | 广东友台半导体 (UMW) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.25593 |
 | NTR4171PT1G(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.5628 |
| NTR4171PT1G-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,5.6A | ¥0.69599 | |
| NTR4003N | 萨科微 (Slkor) | ¥0.1072 | |
| NTRV4101P | ¥0.46862 | ||
| NTR3A30PZ | ¥0.77354 |
NTR4171PT1G-VB所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTR4171PT1G-VB 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTR4171PT1G-VB价格参考￥0.695985，你可以下载 NTR4171PT1G-VB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTR4171PT1G-VB规格参数、现货库存、封装信息等信息！