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NTR4503NT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 420mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 广东友台半导体 (UMW)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.25592 4.25592
  • 库存: 30
  • 单价: ¥4.25593
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.26
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规格参数

  • 制造厂商 广东友台半导体 (UMW)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Ta)
  • 最大功耗 420mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@2.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF @ 24 V

NTR4503NT1G 产品详情

单N沟道功率MOSFET 30V,2.5A,110mΩ,小信号MOSFET 30V-2.5A 140 mOhm单N沟道SOT-23

特色

  • 用于低栅极电荷/快速开关的领先平面技术
  • 4.5 V额定电压,用于低压栅极驱动
  • SOT-23表面安装,适用于小尺寸(3x3mm)
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换
  • 便携式负载/电源开关
  • 用于计算的负载/电源开关


(图片:引出线)

NTR4503NT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTR4503NT1G 由 广东友台半导体 (UMW) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTR4503NT1G价格参考¥4.255928,你可以下载 NTR4503NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTR4503NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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