2N7002M3T5G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):350mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4.5V,200mA
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 350mA
- 功率(Pd) 150mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.5Ω@4.5V,200mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.85V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) 42pF@10V
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 工作温度 +150℃@(Tj)
2N7002M3T5G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002M3T5G 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002M3T5G价格参考¥0.153549,你可以下载 2N7002M3T5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002M3T5G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...