WSD20L50DN
- 描述:暂无
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.87720 | 1.87720 |
| 10+ | 1.47994 | 14.79942 |
| 30+ | 1.30969 | 39.29070 |
| 100+ | 1.09718 | 109.71830 |
| 500+ | 1.00259 | 501.29900 |
| 1000+ | 0.94585 | 945.85000 |
- 库存: 17350
- 单价: ¥1.87720
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.88
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 -
- 漏源电压(Vdss) -
- 连续漏极电流(Id) -
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) -
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) -
- 栅极电荷(Qg@Vgs) -
- 输入电容(Ciss@Vds) -
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
WSD20L50DN 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | WSD1CTJ-OEM | 研华 (Advantech) | WLS MESH TEMP SENSOR, 2 THERMO J | ¥3,353.39027 |
 | WSD90P06DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,30A | ¥5.31778 |
 | WSD30100DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：46.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,20A | ¥2.13613 |
 | WSD30L40DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：32.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,20A | ¥2.30157 |
 | WSD30L90DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,25A | ¥3.23691 |
 | WSD3066DN33 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,35A | ¥1.90084 |
 | WSD6040DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：37.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,25A | ¥1.35709 |
 | WSD60N10GDN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A | ¥4.94995 |
 | WSD20L120DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@4.5V,20A | ¥3.25793 |
 | WSD4066DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,14A | ¥2.0857 |
WSD20L50DN所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，WSD20L50DN 由 微硕 (WINSOK) 设计生产，可通过久芯网进行购买。WSD20L50DN价格参考￥1.877200，你可以下载 WSD20L50DN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询WSD20L50DN规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微硕 (WINSOK)
微碩半導體專注于半導體封裝、測試，多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立，成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業，現已擁有地區、世...
