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WSD30L30DN
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WSD30L30DN

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30+ 1.31650 39.49518
100+ 1.09708 109.70890
500+ 0.83801 419.00900
1000+ 0.76188 761.88100
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规格参数

  • 类型 -
  • 漏源电压(Vdss) -
  • 连续漏极电流(Id) -
  • 功率(Pd) -
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) -
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) -
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) -
  • 输入电容(Ciss@Vds) -
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -

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器件图
型号
制造商
描述
价格
WSD1CTJ-OEMWSD1CTJ-OEM研华 (Advantech)WLS MESH TEMP SENSOR, 2 THERMO J¥3,353.39027
WSD90P06DN56WSD90P06DN56微硕 (WINSOK)类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,30A¥5.31778
WSD30100DN56WSD30100DN56微硕 (WINSOK)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：46.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,20A¥2.13613
WSD30L40DNWSD30L40DN微硕 (WINSOK)类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：32.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,20A¥2.30157
WSD30L90DN56WSD30L90DN56微硕 (WINSOK)类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,25A¥3.23691
WSD3066DN33WSD3066DN33微硕 (WINSOK)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,35A¥1.90084
WSD6040DN56WSD6040DN56微硕 (WINSOK)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：37.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,25A¥1.35709
WSD60N10GDN56WSD60N10GDN56微硕 (WINSOK)类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A¥4.94995
WSD20L120DN56WSD20L120DN56微硕 (WINSOK)类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@4.5V,20A¥3.25793
WSD4066DNWSD4066DN微硕 (WINSOK)类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,14A¥2.0857
WSD30L30DN所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，WSD30L30DN 由 微硕 (WINSOK) 设计生产，可通过久芯网进行购买。WSD30L30DN价格参考￥1.668583，你可以下载 WSD30L30DN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询WSD30L30DN规格参数、现货库存、封装信息等信息！

微硕 (WINSOK)

微硕 (WINSOK)

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