WSD3069DN56
- 描述:类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):16A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,10A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
50+ | 1.52682 | 76.34125 |
500+ | 1.35718 | 678.59100 |
1000+ | 1.10271 | 1102.71000 |
3000+ | 1.01788 | 3053.66400 |
5000+ | 0.91609 | 4580.48000 |
- 库存: 5000
- 单价: ¥1.28068
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.28
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规格参数
- 类型 1个N沟道和1个P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 16A
- 功率(Pd) -
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 15mΩ@10V,10A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 3.5nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 373pF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 41pF@15V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
WSD3069DN56所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD3069DN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD3069DN56价格参考¥1.280682,你可以下载 WSD3069DN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD3069DN56规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世...