SED4060G
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A
- 品牌: 光宇睿芯 (SINO-IC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.83755 | 2.83755 |
10+ | 2.31207 | 23.12079 |
30+ | 2.08087 | 62.42613 |
100+ | 1.79711 | 179.71160 |
500+ | 1.43979 | 719.89700 |
1000+ | 1.36622 | 1366.22800 |
- 库存: 8489
- 单价: ¥2.83755
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数量:
- +
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 40V
- 连续漏极电流(Id) 60A
- 功率(Pd) 65W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA
SED4060G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SED4060G 由 光宇睿芯 (SINO-IC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SED4060G价格参考¥2.837551,你可以下载 SED4060G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SED4060G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、...