SESD1Z12V
- 描述:极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压(VBR)：13.3V
- 品牌: 光宇睿芯 (SINO-IC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.22160 | 0.22160 |
| 10+ | 0.17433 | 1.74337 |
| 30+ | 0.14808 | 4.44243 |
| 150+ | 0.13232 | 19.84920 |
| 450+ | 0.11867 | 53.40375 |
| 1050+ | 0.11132 | 116.88915 |
- 库存: 5700
- 单价: ¥0.22160
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.22
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 极性 单向
- 反向截止电压(Vrwm) 12V
- 击穿电压(VBR) 13.3V
SESD1Z12V 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SESDT-10-32-G-20.0-L | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 插座到电缆 针位数: twenty 排数: two 长: 1.67’（508.00毫米） 色彩/颜色: 蓝色，个人 系列: 虎眼SESDT | ¥118.56627 |
 | SESD9L3.3ST5G | 安盛美 (onsemi) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 3.3V（最大值） 最大钳位电压: 9伏 供应商设备包装: SOD-923 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） 安装类别: 表面安装 | ¥2.40464 |
| SESD3Z08C | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.20083 |
| SESUC5VD882SY-2B | 晶讯 (Semitel) | 暂无 | ¥0.18031 |
 | SESDFBP07V | 光宇睿芯 (SINO-IC) | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：7V 击穿电压(VBR)：7.5V | ¥0.07786 |
| SESDA6V8UL | 光宇睿芯 (SINO-IC) | 暂无 | ¥0.25919 |
| SESD1Z12V | 光宇睿芯 (SINO-IC) | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压(VBR)：13.3V | ¥0.2216 |
| SESLC5VT236L-6U | 晶讯 (Semitel) | 暂无 | ¥0.54166 |
| SESD3Z5C | ¥0.49324 | ||
| SESD3Z12C | ¥0.50555 |
SESD1Z12V所属分类：电路保护套件 - 瞬态电压抑制二极管，SESD1Z12V 由 光宇睿芯 (SINO-IC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SESD1Z12V价格参考￥0.221604，你可以下载 SESD1Z12V中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SESD1Z12V规格参数、现货库存、封装信息等信息！
光宇睿芯 (SINO-IC)
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、...
