WSD75N12GDN56
- 描述:暂无
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.81902 | 7.81902 |
| 10+ | 6.49483 | 64.94839 |
| 30+ | 5.76968 | 173.09061 |
| 100+ | 4.94995 | 494.99500 |
| 500+ | 4.58211 | 2291.05950 |
| 1000+ | 4.41396 | 4413.96800 |
- 库存: 6472
- 单价: ¥7.81903
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.82
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WSD75N12GDN56 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| WSD1CTJ-OEM | 研华 (Advantech) | WLS MESH TEMP SENSOR, 2 THERMO J | ¥3,353.39027 |
 | WSD90P06DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,30A | ¥5.31778 |
 | WSD30100DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：46.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,20A | ¥2.13613 |
 | WSD30L40DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：32.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,20A | ¥2.30157 |
 | WSD30L90DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,25A | ¥3.23691 |
 | WSD3066DN33 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,35A | ¥1.90084 |
 | WSD6040DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：37.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,25A | ¥1.35709 |
 | WSD60N10GDN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A | ¥4.94995 |
 | WSD20L120DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@4.5V,20A | ¥3.25793 |
 | WSD4066DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,14A | ¥2.0857 |
WSD75N12GDN56所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，WSD75N12GDN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产，可通过久芯网进行购买。WSD75N12GDN56价格参考￥7.819029，你可以下载 WSD75N12GDN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询WSD75N12GDN56规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微硕 (WINSOK)
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