2N7002KQ-7
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):380mA 功率(Pd):370mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.40705 | 0.40705 |
100+ | 0.32737 | 32.73790 |
1000+ | 0.30782 | 307.82300 |
- 库存: 2910
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 380mA
- 功率(Pd) 370mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 300pC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 50pF@25V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
2N7002KQ-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002KQ-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002KQ-7价格参考¥0.407051,你可以下载 2N7002KQ-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002KQ-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...