WSD20L70DN
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@4.5V,16A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.98145 | 1.98145 |
| 10+ | 1.56212 | 15.62127 |
| 30+ | 1.38241 | 41.47248 |
| 100+ | 1.15814 | 115.81400 |
| 500+ | 1.05830 | 529.15200 |
| 1000+ | 0.99839 | 998.39800 |
- 库存: 11335
- 单价: ¥1.98146
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.98
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 70A
- 功率(Pd) 83W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,16A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 600mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 70nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 5.625nF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 716pF@15V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | WSD30L40DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：32.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,20A | ¥2.30157 |
 | WSD30L90DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,25A | ¥3.23691 |
 | WSD3066DN33 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,35A | ¥1.90084 |
 | WSD6040DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：36A 功率(Pd)：37.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,25A | ¥1.35709 |
 | WSD60N10GDN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A | ¥4.94995 |
 | WSD20L120DN56 | 微硕 (WINSOK) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@4.5V,20A | ¥3.25793 |
 | WSD4066DN | 微硕 (WINSOK) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,14A | ¥2.0857 |
WSD20L70DN所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，WSD20L70DN 由 微硕 (WINSOK) 设计生产，可通过久芯网进行购买。WSD20L70DN价格参考￥1.981455，你可以下载 WSD20L70DN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询WSD20L70DN规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微硕 (WINSOK)
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