WSD100N06GDN56
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A
- 品牌: 微硕 (WINSOK)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 6.12700 | 6.12700 |
10+ | 4.96045 | 49.60459 |
30+ | 4.37193 | 131.15790 |
100+ | 3.79391 | 379.39110 |
500+ | 3.44709 | 1723.54950 |
1000+ | 3.25792 | 3257.92900 |
- 库存: 9851
- 单价: ¥6.12701
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.13
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 100A
- 功率(Pd) 83W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 58nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.458nF@30V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 22pF@30V
- 工作温度 +150℃@(Tj)
WSD100N06GDN56所属分类:分立场效应晶体管 (FET),WSD100N06GDN56 由 微硕 (WINSOK) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WSD100N06GDN56价格参考¥6.127008,你可以下载 WSD100N06GDN56中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WSD100N06GDN56规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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微碩半導體專注于半導體封裝、測試,多年來緻力于電子元器件開發研究。企業于2000年成立,成爲東亞地區少數能夠提供“芯片測試、封裝設計、封裝測試、特訂産品”的企業,現已擁有地區、世...