BSO110N03MSG
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,12.1A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.32829 | 5.32829 |
| 10+ | 4.49804 | 44.98044 |
| 30+ | 4.07766 | 122.32998 |
| 100+ | 3.66779 | 366.77970 |
| 500+ | 3.06875 | 1534.37950 |
| 1000+ | 2.94264 | 2942.64500 |
- 库存: 9977
- 单价: ¥5.32829
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.33
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 10A
- 功率(Pd) 1.56W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,12.1A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
BSO110N03MSG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSOF3S3E-010.0M | 康纳·温菲尔德 (Connor Winfield) | 种类: OCXO 频率: 10兆赫 输出: HCMOS 频率的稳定性: ±10ppb 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥912.6054 |
 | BSO330N02KG | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 |
 | BSO211P | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 |
 | BSO211PH | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 532-FCBGA (23x23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.2453 |
 | BSO220N03MDGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.60505 |
 | BSO211PNTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.22889 |
 | BSO612CVGXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET N/P-CH 8-SOIC | ¥4.42107 |
| BSO110N03MSG | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,12.1A | ¥5.32829 |
 | BSO080P03S H | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.12631 | |
| BSO615N G | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.28828 |
BSO110N03MSG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSO110N03MSG 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSO110N03MSG价格参考￥5.328290，你可以下载 BSO110N03MSG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSO110N03MSG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
