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BSO207P H是MOSFET P-Ch-20V-5.7A DSO-8 OptiMOS P，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO207PHXT BSO207PH XUMA1 SP000613832，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2个晶体管型P信道，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为-12nC，正向跨导最小值为18S，沟道模式为增强。
BSO207PHXUMA1是MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO，包括1.2V@44μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-DSO-8，以及OptiMOS？系列，该设备也可以用作45 mOhm@5.7A，4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，功率最大值为1.6W，该设备采用BSO207P BSO207PHXT H SP000613832零件别名，该设备具有Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1650pF@15V，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5A。
带有电路图的BSO207PNTMA1，包括5.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在23.4nC@4.5V下工作，以及1013pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装的磁带和卷轴（TR），最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@5.7A，4.5V，系列为OptiMOS？，供应商器件封装为P-DSO-8，Vgs最大Id为1.2V@40μa。
