发射极耦合逻辑（ECL）
算术函数，如计数器、除法器
P3MS650103H-4CR
- 描述:P3MS650103 - 1.8V/2.5V/3.3V GP E
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 429
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 429+ | 5.07003 | 2175.04287 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,175.04
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 种类 -
- 输入值 -
- 输出 -
- 输入比率 / 输出比率 -
- 输入差分 / 输出差分 -
- 最大频率 -
- 分频器或倍频器 -
- 电源电压 -
- 锁相回路 -
- 安装类别 -
- 工作温度 -
- 包装/外壳 -
- 电线数量 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 特点 -
- 色彩/颜色 -
P3MS650103H-4CR 产品详情
时钟发生器，ON半导体
P3MS650103H-4CR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | P3M | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥53.32585 |
| P3MB | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥71.02098 |
| P3MM | 艾沛克斯 (Apex) | NUT DRIVER HEX SOCKET 3MM 3.5" | ¥505.80068 |
 | P3M06300T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 35W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M06300D5 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 26瓦 供应商设备包装: DFN5*6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M06300D8 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 最大功耗: 32瓦 供应商设备包装: DFN8*8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.06964 |
 | P3M171K0T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 最大功耗: 100W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥44.18169 |
 | P3M173K0K3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 63W 供应商设备包装: TO-247-3L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.55784 |
 | P3M173K0T3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 75W 供应商设备包装: TO-220-2L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.55784 |
 | P3M12080K3 | PN Junction半导体公司 (PN Junction) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A 最大功耗: 221W 供应商设备包装: TO-247-3L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥86.19051 |
P3MS650103H-4CR所属分类：时钟发生器/锁相环/频率合成芯片，P3MS650103H-4CR 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。P3MS650103H-4CR价格参考￥5.070030，你可以下载 P3MS650103H-4CR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询P3MS650103H-4CR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
