9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYS10-35HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYS10-35HE3_A/H参考价格0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYS10-35HE3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC。您可以下载BYS10-35HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYS10-35-E3/TR是DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC，包括肖特基二极管产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。零件别名如数据表注释所示，用于BYS10-35-E3/TR3，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@35V，电压正向Vf Max If为500mV@1A，电压直流反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为1.5A，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，1 A时Vf正向电压为0.5 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为1.5 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为40A。
BYS10-35-E3/TR3是DIODE SCHOTTKY 35V 1.5A DO214AC，包括35V Vrm重复反向电压，它们设计为在500mV@1A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表说明中显示了35V中使用的电压直流反向Vr Max，其提供了1 a时0.5 V的正向电压特性，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基二极管产品，该器件具有零件别名BYS10-35-E3/TR，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为40 A，If正向电流为1.5 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μA@35V，电流平均整流Io为1.5A，配置为单一。
BYS10-35-E3，带有VISHAY制造的电路图。BYS10-35-E3采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
