9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYS12-90-E3/TR3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYS12-90-E3/TR3参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYS12-90-E3/TR3封装/规格:DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC。您可以下载BYS12-90-E3/TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYS12-90-E3/TR是DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC,包括肖特基二极管产品,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,零件别名如数据表注释所示,用于BYS12-90-E3/TR3,提供单位重量功能,如0.003739盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AC,SMA包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-214AC(SMA)供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为100μa@90V,电压正向Vf Max If为750mV@1A,电压直流反向Vr Max为90V,电流平均整流Io为1.5A,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,1 A时Vf正向电压为0.75 V,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为1.5 A,Vrm重复反向电压为90 V,Ifsm正向浪涌电流为40A。
BYS11-90-M3/TR3,带有用户指南,包括750mV@1A正向电压Vf Max。如果设计用于90V直流反向电压Vr Max,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,SMA封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有100μa@90V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为1.5A。
BYS12-90,带有VISHAY制造的电路图。BYS12-90采用DO-214AC封装,是二极管、整流器-单体的一部分。