9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BY135，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY135参考价格$0.0290。Diotec半导体BY135封装/规格：DIODE STD DO-41 150V 1A。您可以下载BY135英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY133GPHE3/73是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AC，包括磁带盒（TB）替代包装包装，它们设计用于DO-204AC、DO-15、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-204AA（DO-15），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1300V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@2A，该器件提供1300V（1.3kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs。
BY133TA带有用户指南，包括1V@1A正向电压Vf Max如果，它们设计为在1300V（1.3kV）直流反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~125°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1300V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BY134GP-E3/54是二极管GEN PURP 600V 1A DO204AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，封装盒设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件还可以用作2μs反向恢复时间trr。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-204AC（DO-15）供应商设备包中提供，该设备具有600V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.2V@2A。
BY134GPHE3/54是DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC，包括通孔安装型，设计用于带卷（TR）封装，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供二极管型功能，如标准，封装盒设计用于DO-204AC，DO-15，轴向，除了DO-204AC（DO-15）供应商设备包外，该设备还可以用作600V电压DC反向Vr Max。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有1A的电流平均整流Io，电压正向Vf Max If为1.2V@2A。
