9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BY134，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY134价格参考$0.0290。Diotec半导体BY134封装/规格：DIODE STD DO-41 600V 1A。您可以下载BY134英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BY133GPHE3/54是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AC，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AC、DO-15、轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包功能，如DO-204AA（DO-15），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@1300V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@2A，该器件提供1300V（1.3kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs。
BY133GPHE3/73是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AC，包括1.2V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1300V（1.3KV）电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AC（DO-15），其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，以及磁带盒（TB）替代包装包装，该设备也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1300V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
BY133TA带有电路图，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C ~ 125°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-41供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为1300V（1.3kV），正向电压Vf最大值为1V@1A。
BY133GP-E3/73是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AC，包括通孔安装型，它们设计用于磁带盒（TB）封装，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供二极管型功能，如标准，封装盒设计用于DO-204AC，DO-15，轴向，以及DO-204AC（DO-15）供应商设备包，该设备也可以用作5μA@1300V电流反向泄漏Vr。此外，反向恢复时间trr为2μs，该器件以1A电流平均整流Io提供，该器件具有1300V（1.3kV）的电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为1.2V@2A。
