9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1FLB-M-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1FLB-M-08参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1FLB-M-08封装/规格：DIODE GP 100V 700MA DO219AB。您可以下载S1FLB-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1FLB-GS08是DIODE SW 100V DO-219AB，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-219A B包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-219AA（SMF），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有700mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1FLB-GS18，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可以用作DO-219AB包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为700mA，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
S1F-C是G F FS型支架MTG卡扣式夹子，包括支架-卡扣式安装和螺钉附件类型，它们设计用于与相关产品一起使用的D、E、NE、NS、PE、PS、S型Panduit导管一起使用。
