9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1FLK-M-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1FLK-M-08参考价格为0.36000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1FLK-M-08封装/规格：DIODE GP 800V 700MA DO219AB。您可以下载S1FLK-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1FLK-GS08是DIODE SW 800V DO-219AB，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-219A B包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-219AA（SMF），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有700mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1FLJ-M-18，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在600V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可作为DO-219AB包装盒使用，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1FLK-GS18，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作DO-219AB包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供1.8μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压直流反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
