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IDH05G120C5XKSA1是二极管肖特基1.2KV 5A TO220-2，包括thinQ！？系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管，提供零件别名功能，如IDH05G120C5 SP000974868，单位重量设计用于0.211644盎司，以及通孔安装类型，该设备也可用作to-220-2包装箱。此外，该技术为SiC，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的PG-TO220-2-1，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为33μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.8V@5A，电压DC反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为5A（DC），电容Vr F为301pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为109W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.5V，Vr反向电压为1.2kV，Ir反向电流为2.5uA，If正向电流为5A，Vrm重复反向电压为1.2 kV，Ifsm正向浪涌电流为59A。
IDH05G65C5是DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO220-2，包括1.7V@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在650V电压DC反向电压Vr Max下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供PG-TO220-2等供应商设备包功能，速度设计为在无恢复时间>500mA（Io）的情况下工作，以及薄型Q！？系列，该设备也可用作0ns反向恢复时间trr。此外，零件别名为IDH05G65C5XK IDH05G65 C5XKSA1 SP000925200，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-2封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为170μa@650V，电流平均整流Io为5A（DC），电容Vr F为160pF@1V，1MHz。
IDH05G65C5XKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管，包括单一配置，它们设计为在5 a下工作。如果正向电流、Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于46 a，提供Ir反向电流功能，如90 uA，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-220-2，器件采用管式封装，器件具有IDH05G65C5 IDH05G35C5XK SP000925200零件别名，Pd功耗为55W，产品为肖特基碳化硅二极管，系列为IDH05G65，技术为SiC，单位重量为0.211644盎司，Vf正向电压为1.5V，Vr反向电压为650V，Vrm重复反向电压为650V。
