9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYM11-100-E3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYM11-100-E3/96参考价格为0.46000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYM11-100-E3/96包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB。您可以下载BYM11-100-E3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYM11-1000HE3/96是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIER系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SUPERCTIIER商标，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为1000V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为500ns。
BYM11-1000-E3/97是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作1.3V。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的电压DC反向Vr Max，提供1.3 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供500ns反向恢复时间trr，该设备具有500ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，零件别名为BYM11-1000-E3/96，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYM11-1000HE3/97是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@1000V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为500ns，反向恢复时间trr为500ns；系列为SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，单位重量为0.004762 oz，Vf正向电压为1.3V，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.3V@1A，Vr反向电压为1000V。
