9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAQ335-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAQ335-TR参考价格为0.44000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAQ335-TR封装/规格：DIODE GP 125V 200MA MICROMELF。您可以下载BAQ335-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAQ334-TR是DIODE GEN 60V 200MA MICROMELF，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于2-SMD、无引线封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如MICROMELF，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可用作1nA@30V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供60V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，电容Vr F为3pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BAQ334-TR3是DIODE GEN 60V 200MA MICROMELF，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了MICROMELF中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，以及2-SMD，无引线封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有1nA@30V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为3pF@0V，1MHz。
BAQ333-TR3是DIODE GEN 30V 200MA MICROMELF，包括3pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1nA@15V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作2-SMD，无引线封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以小信号=速度提供，设备具有供应商设备包的MicroMELF，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
