9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAQ333-TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAQ333-TR3参考价格为0.05280美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAQ333-TR3封装/规格：DIODE GP 30V 200MA MICROMELF。您可以下载BAQ333-TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAQ135-GS08是DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于SOD-80变体包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOD-80 QuadroMELF，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可用作1nA@60V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供125V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，电容Vr F为3pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
BAQ135-GS18是DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在125V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 QuadroMELF的供应商设备包，其提供速度特性，如小信号=，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，以及SOD-80变型封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有1nA@60V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为3pF@0V，1MHz。
BAQ333-TR是二极管GEN 40V 200MA MICROMELF，包括3pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1nA@15V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该设备也可以用作2-SMD，无引线封装外壳。此外，该包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以小信号=速度提供，该设备具有供应商设备包装的MicroMELF，电压DC反向Vr Max为40V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
