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IDH16G65C5是二极管肖特基650V 16A TO220-2，包括thinQ！？系列，它们设计用于管包装，零件别名如数据表注释所示，用于IDH16G65C55XK IDH16G65C5XKSA1 SP000925210，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装类型设计用于通孔，以及to-220-2包装盒，该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为PG-TO220-2，该设备的无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备具有二极管型碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为550μa@650V，电压正向Vf Max If为1.7V@16A，电压直流反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为16A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为470pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
IDH16G65C5XKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为在650 V Vr反向电压下工作，Vf正向电压显示在数据表注释中，用于1.5 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，技术设计用于SIC，以及IDH16G65系列，该器件也可以用作肖特基碳化硅二极管产品。此外，Pd功耗为129 W，该设备采用IDH16G65C5 IDH16G65C5XK SP000925210零件别名，该设备具有包装管，包装箱为TO-220-2，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+175 C，Ir反向电流为200 uA，并且Ifsm正向浪涌电流是124A，并且如果正向电流是16A，并且配置是单一的。
IDH16S60C是肖特基二极管和整流器SiC肖特基二极管600V 16A，包括单一配置，它们设计为在16 a下工作。如果正向电流、Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于118 a，提供Ir反向电流功能，如2000 uA，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-220-2，该器件采用管式封装，该器件具有零件别名IDH16S60CAKSA1 IDH16S60CXK SP000797666，Pd功耗为136 W，产品为肖特基碳化硅二极管，系列为IDH16S60，技术为SiC，单位重量为0.211644盎司，Vf正向电压为1.5 V，Vrm重复反向电压为600V。
