9icnet为您提供由EIC半导体公司设计和生产的BY399，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY399参考价格为0.24000美元。EIC半导体公司BY399包装/规格：FR 3A，外壳类型：DO-201AD。您可以下载BY399英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY396P-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-201AD，轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@3A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为28pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 125°C。
BY397P-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1.25V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-201AD的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为500ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装盒，其工作温度结范围为-50°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为28pF@4V，1MHz。
BY398P-E3/54是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括28pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~125°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供500ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
