9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BY397，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY397参考价格为0.08970美元。Diotec Semiconductor BY397封装/规格：DIODE FR DO-201 200V 3A。您可以下载BY397英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY359X-1500127是DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220F，包括管式封装，设计用于to-220-2全封装、隔离凸片封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220F，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1300V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.8V@20A，该设备提供1500V（1.5kV）电压直流反向Vr Max，该设备具有10A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为600ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BY359X-1500S，127是DIODE GEN PURP 1.5KV 7A TO220F，包括2V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1500V（1.5KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220F的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为350ns，除了管封装外，该器件还可以用作TO-220-2全封装、隔离接线片封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1300V，电流平均整流Io为7A（DC）。
BY396P-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD，包括28pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~125°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供500ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
BY359X-1500S是PHILIPS制造的DIODE GEN PURP 1.5KV 7A TO220F。BY359X-1500S提供TO-220-2全封装、隔离接线片封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 1.5KV 7A TO220F。
