9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FES16DT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FES16DT-E3/45参考价格为1.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FES16DT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC。您可以下载FES16DT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FES16CTHE3/45是DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，电压正向Vf Max If为975mV@16A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为16A，反向恢复时间trr为35ns，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为16 A，最大浪涌电流为250 A，恢复时间为35 ns。
FES16CTR是DIODE GEN PURP 150V 16A TO220AC，包括950mV@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，电流平均整流Io为16A，电容Vr F为170pF@4V，1MHz。
FES16DT是DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2L，包括170pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于16A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作TO-220-2封装盒。此外，包装为管式，设备提供35ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为TO-220AC，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为950mV@8A。
