9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的FESB8JT-E3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FESB8JT-E3/81参考价格$1.41000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division FESB8JT-E3/81封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB。您可以下载FESB8JT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FESB8JT-E3/81价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FESB8HTHE3/45是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@500V，电压正向Vf Max If为1.5V@8A，电压直流反向Vr Max为500V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为50 ns。
FESB8JT-E3/45是DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.5V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.5 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.056438盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以50ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@600V，平均整流电流Io为8A，并且配置为单双阴极。
FESB8HTHE3/81是DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@500V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为500V，电压正向Vf Max If为1.5V@8A。
